装机堂
| 参数规格 |
Xiaomi
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HiSilicon
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|---|---|---|
| 🔥 性能排名 | ||
| 核心数 | 10 | 8 |
| 线程数 | 10 | 8 |
| 基础频率 | 1.8 GHz | 2.05 GHz |
| 加速频率 | 3.9 GHz | 3.13 GHz |
| 缓存 | 10.5 MB L2 Cache,16 MB L3 Cache | 8 MB |
| 制程工艺 | 3 nm N3E TSMC | 5 nm+ FinFET EUV TSMC |
| TDP功耗 | 7W | 6W |