装机堂
| 参数规格 |
Xiaomi
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HiSilicon
|
|---|---|---|
| 🔥 性能排名 | ||
| 核心数 | 10 | 4 |
| 线程数 | 10 | 4 |
| 基础频率 | 1.8 GHz | 1.6 GHz |
| 加速频率 | 3.9 GHz | 2.0 GHz |
| 缓存 | 10.5 MB L2 Cache,16 MB L3 Cache | 1 MB |
| 制程工艺 | 3 nm N3E TSMC | 28 nm |
| TDP功耗 | 7W | 6W |