| 参数规格 |
Qualcomm
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HiSilicon
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|---|---|---|
| 🔥 性能排名 | ||
| 核心数 | 8 | 6 |
| 线程数 | 8 | 6 |
| 基础频率 | 2.27 GHz | 2.05 GHz |
| 加速频率 | 3.4 GHz | 3.13 GHz |
| 缓存 | 12 MB | 8 MB |
| 制程工艺 | 4 nm N4P TSMC | 5 nm+ FinFET EUV TSMC |
| TDP功耗 | 9W | 6W |