装机堂

海思麒麟9000L

5 nm+ FinFET EUV TSMC 发布: 2020年4季度

6核 / 3.13GHz

性能高于68%的处理器

入门手机

基础通讯 / 社交 / 影音

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大型手游 / 多开应用

高端旗舰

高帧游戏 / 内容创作

单核性能

游戏 / 日常响应

多核性能

生产力 / 多任务

显卡性能

高帧游戏 / 内容创作

核心数

6核

核心频率

3.13 GHz

缓存

8 MB

制程工艺

5 nm+ FinFET EUV TSMC

内存支持

12 GB

GPU

ARM Mali-G78 MP22

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📈 基准测试分数

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Geekbench 6

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Geekbench 5

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GPU FP32性能

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📊 HiSilicon SOC

横向对比规格参数，快速定位代际性能差异（点击型号可查看详情）

型号	核心数	核心频率	RAM内存	制程工艺
海思麒麟9010S	8核	2.5 GHz	16 GB	7 nm FinFET SMIC
海思麒麟 9020	12核	2.5 GHz	16 GB	7 nm FinFET SMIC
海思麒麟9010	8核	2.3 GHz	16 GB	7 nm FinFET SMIC
海思麒麟830 5G	8核	2.4 GHz	8 GB	7 nm FinFET
海思麒麟9000S1	8核	2.49 GHz	16 GB	7 nm FinFET SMIC
海思麒麟9000S	8核	2.62 GHz	16 GB	7 nm FinFET SMIC
海思麒麟9000E	8核	3.13 GHz	8 GB	5 nm+ FinFET EUV TSMC
海思麒麟9000	8核	3.13 GHz	12 GB	5 nm+ FinFET EUV TSMC
海思麒麟990E 5G	8核	2.86 GHz	8 GB	7 nm+ FinFET
海思麒麟990E	8核	2.86 GHz	8 GB	7 nm+ FinFET
海思麒麟9000L	6核	3.13 GHz	12 GB	5 nm+ FinFET EUV TSMC
海思麒麟985 5G	8核	2.58 GHz	8 GB	7 nm FinFET
海思麒麟820 5G	8核	2.36 GHz	8 GB	7 nm FinFET
海思麒麟710A	8核	2.0 GHz	8 GB	14 nm FinFET
海思麒麟990 5G	8核	2.86 GHz	8 GB	7 nm FinFET
海思麒麟990 4G	8核	2.86 GHz	8 GB	7 nm FinFET
海思麒麟8000	8核	2.4 GHz	12 GB	7 nm FinFET SMIC N+2
海思麒麟810	8核	2.27 GHz	6 GB	7 nm FinFET
海思麒麟710F	8核	2.2 GHz	8 GB	12 nm FinFET
海思麒麟710	8核	2.2 GHz	6 GB	12 nm FinFET
海思麒麟980	8核	2.6 GHz	8 GB	7 nm FinFET
海思 Hi3798MV300	4核	2.0 GHz	2 GB	28 nm
海思麒麟970	8核	2.36 GHz	8 GB	10 nm FinFET+
海思麒麟659	8核	2.36 GHz	4 GB	16 nm FinFET+
海思麒麟658	8核	2.35 GHz	4 GB	16 nm FinFET+
海思麒麟960S	8核	2.4 GHz	6 GB	16 nm FFC
海思麒麟960	8核	2.36 GHz	6 GB	16 nm FFC
海思麒麟655	8核	2.35 GHz	4 GB	16 nm FinFET+
海思 Hi3798MV200	4核	2.0 GHz	2 GB	28 nm
海思麒麟955	8核	2.5 GHz	8 GB	16 nm FinFET+
海思麒麟650	8核	2.12 GHz	4 GB	16 nm FinFET+
海思麒麟950	8核	2.3 GHz	4 GB	16 nm FinFET+
海思 Hi3798CV200	4核	1.6 GHz	2 GB	28 nm
海思麒麟620	4核	1.2 GHz	2 GB	28 nm
海思麒麟935	8核	2.2 GHz	3 GB	28 nm HPC
海思麒麟930	8核	2.0 GHz	3 GB	28 nm HPC
海思 Hi3798MV100	4核	1.5 GHz	2 GB	28 nm
海思麒麟925	8核	1.8 GHz	4 GB	28 nm HPM
海思麒麟920	8核	1.7 GHz	4 GB	28 nm HPM
海思麒麟910T	4核	1.8 GHz	2 GB	28 nm HPC
海思麒麟910	4核	1.6 GHz	2 GB	28 nm HPC

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