骁龙6s 4G Gen 1 vs 麒麟655

装机堂 - CPU性能对比

选择SoC
2 / 4
参数规格
HiSilicon
🔥 性能排名
核心数 8 8
线程数 8 8
基础频率 2.0 GHz 1.7 GHz
加速频率 2.1 GHz 2.35 GHz
缓存 544 KB L1 Cache, 5 MB L2 Cache
制程工艺 11 nm 11LPP Samsung 16 nm FinFET+
TDP功耗 7W 5W

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VS
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