骁龙6s 4G Gen 1 vs Hi3798CV200

装机堂 - CPU性能对比

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参数规格
HiSilicon
🔥 性能排名
核心数 8 4
线程数 8 4
基础频率 2.0 GHz 1.6 GHz
加速频率 2.1 GHz
缓存 544 KB L1 Cache, 5 MB L2 Cache 1 MB
制程工艺 11 nm 11LPP Samsung 28 nm
TDP功耗 7W 6W

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VS
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