装机堂

骁龙845

10 nm FinFET LPP 发布: 2018年1季度

主要参数

核心数

8

线程数

8

基础频率

1.9 GHz

最高频率

2.8 GHz

内存类型

LPDDR4X-1866

最大内存容量

6 GB

制程工艺

10 nm FinFET LPP

TDP功耗

9 W

CPU参数

高性能核心

4x ARM Cortex-A75 @ 2.8 GHz

能效核心

4x ARM Cortex-A55 @ 1.9 GHz

核心架构

Cortex-A75, Cortex-A55

微架构

Cortex-A75, Cortex-A55

指令集

ARMv8.2-A (64-bit)

GPU和图形

集成GPU

Qualcomm Adreno 630

GPU频率

710 MHz

GPU着色单元

512

GPU执行单元

2

GPU FP32浮点性能

737 GFLOPS

内存/存储

最大内存带宽

29.9 GB/s

内存通道数

4

缓存容量

2 MB

晶体管数量

5,300,000,000

性能基准

安兔兔

276,473

GFLOPS性能

66.8 GFLOPS

性能功耗比

943 pts / W

PassMark处理器性能

3,014

其他信息

市场定位

Smartphone

数据基于官方规格及权威评测，性能指数为平台相对参考。

已选 1/4 款SOC