装机堂

骁龙429

12 nm FinFET 发布: 2018年2季度

主要参数

核心数

4

线程数

4

内存类型

LPDDR3

最大内存容量

4 GB

制程工艺

12 nm FinFET

TDP功耗

6 W

CPU参数

频率

1.95 GHz

核心配置

4x ARM Cortex-A53 @ 1.95 GHz

核心架构

Cortex-A53

微架构

Cortex-A53

指令集

ARMv8-A (64-bit)

GPU和图形

集成GPU

Qualcomm Adreno 504

GPU频率

450 MHz

GPU着色单元

48

GPU执行单元

1

GPU FP32浮点性能

48.6 GFLOPS

内存/存储

最大内存带宽

7.46 GB/s

内存通道数

1

缓存容量

1 MB

性能基准

Geekbench 5 单核

141

Geekbench 5 多核

483

安兔兔

64,320

GFLOPS性能

15.3 GFLOPS

性能功耗比

407 pts / W

PassMark处理器性能

1,124

其他信息

市场定位

Smartphone

数据基于官方规格及权威评测，性能指数为平台相对参考。

已选 1/4 款SOC