装机堂

骁龙835

10 nm FinFET LPE 发布: 2017年2季度

主要参数

核心数

8

线程数

8

基础频率

1.9 GHz

最高频率

2.45 GHz

内存类型

LPDDR4X-1866

最大内存容量

6 GB

制程工艺

10 nm FinFET LPE

TDP功耗

9 W

CPU参数

高性能核心

4x ARM Cortex-A73 @ 2.45 GHz

能效核心

4x ARM Cortex-A53 @ 1.9 GHz

核心架构

Cortex-A73, Cortex-A53

微架构

Cortex-A73, Cortex-A53

指令集

ARMv8-A (64-bit)

GPU和图形

集成GPU

Qualcomm Adreno 540

GPU加速频率

710 MHz

GPU基础频率

670 MHz

GPU着色单元

256

GPU执行单元

1

GPU FP32浮点性能

737 GFLOPS

内存/存储

最大内存带宽

29.8 GB/s

内存通道数

2

缓存容量

2 MB

晶体管数量

3,000,000,000

性能基准

Geekbench 5 单核

374

Geekbench 5 多核

1,464

Geekbench 6 单核

406

Geekbench 6 多核

1,367

安兔兔

199,273

GFLOPS性能

44 GFLOPS

性能功耗比

703 pts / W

PassMark处理器性能

1,213

其他信息

市场定位

Smartphone

数据基于官方规格及权威评测，性能指数为平台相对参考。

已选 1/4 款SOC