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骁龙835

10 nm FinFET LPE 发布: 2017年2季度
主要参数
核心频率
2.45 GHz
核心数
8
线程数
8
生产工艺
10 nm FinFET LPE
缓存
2 MB
内存参数
内存类型
LPDDR4X-1866
内存带宽
29.8 GB/s
内存通道
2
最大内存
6 GB
核心参数
大小核组合
4+4
核心数
8
GPU参数
GPU名称
Qualcomm Adreno 540
GPU频率
670 MHz
Turbo频率
710 MHz
Pipelines
1
Shading units
256
Total shaders
256
参数补充
TDP
9 W
上市时间
Q2 2017
产品定位
Smartphone
产品代号
MSM8998
CPU指令集
ARMv8-A (64-bit)
晶体管数量
3,000,000,000
安兔兔
总分
199,273