装机堂
| 参数规格 |
HiSilicon
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HiSilicon
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|---|---|---|
| 🔥 性能排名 | ||
| 核心数 | 8 | 4 |
| 线程数 | 8 | 4 |
| 基础频率 | 1.7 GHz | 2.0 GHz |
| 加速频率 | 2.2 GHz | |
| 缓存 | 1 MB | |
| 制程工艺 | 12 nm FinFET | 28 nm |
| TDP功耗 | 5W | 6W |
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