装机堂
| 参数规格 |
Allwinner
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HiSilicon
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|---|---|---|
| 🔥 性能排名 | ||
| 核心数 | 4 | 8 |
| 线程数 | 4 | 8 |
| 基础频率 | 0.48 GHz | 1.8 GHz |
| 加速频率 | 1.34 GHz | 2.3 GHz |
| 缓存 | 256 KB L1 Cache, 512 KB L2 Cache | |
| 制程工艺 | 40 nm | 16 nm FinFET+ |
| TDP功耗 | 4W | 5W |
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VS