装机堂

Helio A22

12 nm FinFET 发布: 2018年2季度

主要参数

核心数

4

线程数

4

内存类型

LPDDR4X-1600, LPDDR3-933

最大内存容量

6 GB

制程工艺

12 nm FinFET

TDP功耗

4 W

CPU参数

频率

2,0 GHz

核心配置

4x ARM Cortex-A53 @ 2,0 GHz

核心架构

Cortex-A53

微架构

Cortex-A53

指令集

ARMv8-A (64-bit)

GPU和图形

集成GPU

Imagination PowerVR GE8320

GPU频率

660 MHz

GPU着色单元

64

GPU执行单元

2

GPU FP32浮点性能

41,6 GFLOPS

内存/存储

最大内存带宽

13,9 GB/s

内存通道数

2

缓存容量

1 MB

性能基准

Geekbench 5 单核

151

Geekbench 5 多核

528

Geekbench 6 单核

182

Geekbench 6 多核

491

安兔兔

85.518

GFLOPS性能

6,31 GFLOPS

性能功耗比

610 pts / W

PassMark处理器性能

487

其他信息

市场定位

Smartphone

数据基于官方规格及权威评测，性能指数为平台相对参考。

已选 1/4 款SOC