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Helio G200

6 nm N6 TSMC 发布: 2025年2季度
主要参数
核心频率
2.2 GHz
核心数
8
线程数
8
生产工艺
6 nm
缓存
320 KB L2 Cache, 1 MB L3 Cache
二级缓存
320 KB
三级缓存
1 MB
存储设备类型
UFS 2.2
内存参数
内存类型
LPDDR4X
内存频率
4266 Mbps / 2133 MHz
内存带宽
17 GB/s
内存通道
2
最大内存
8 GB
核心参数
大小核组合
2+6
核心数
8
GPU参数
GPU名称
ARM Mali-G57 MC2
GPU频率
1,100 MHz
Shading units
2
Total shaders
64
网络参数
基带
Cat-13 4G LTE Modem, 4G FDD / TDD, HSPA+, CDMA2000, EVDO, 4G CA, VoLTE, 4x4 MIMO, 256QAM
WiFi版本
Wi-Fi 5 (a/b/g/n/ac)
蓝牙版本
Bluetooth 5.2, A2DP, LE
导航模块
GPS, Glonass, Galileo (E1+E5a), Beidou (B1C+B2a), QZSS (L1+L5), NavIC
参数补充
TDP
5 W
上市时间
2025 Q2
产品定位
4G Gaming Smartphones
产品代号
MT6789T
CPU指令集
ARMv8.2-A (64-bit)
代工厂
TSMC
ISP
3X ISP
安兔兔
总分
471,052