装机堂
基础参数
核心数 / 线程数2 核 / 2 线程
基础频率3 GHz
加速频率
全核睿频—
缓存2MB (per die) L2
TDP (热设计功耗)95 W
制程工艺65 nm
插槽775
内存支持DDR1, DDR2, DDR3<br>Depends on motherboa
PCIe 版本—
核显On certain motherboards (Chipset feature
发布时间2006 年 4 季度