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Galaxy GTX 660 GC
Galaxy GTX 660 GC
发布: 2012年09月
⚡ 核心频率范围
动态加速
1006
-
1072
MHz
当前频率范围
≤ 950 MHz
🔋 低功耗区
950 - 950 MHz
⚖️ 平衡效能
≥ 950 MHz
🚀 高性能区
📊 频率定位分析:
这张卡的 Boost 频率明显高于公版设定,属于偏激进的高性能调校路线。
在高负载游戏、4K 渲染以及持续烤机环境下,会有更积极的频率释放能力。
📈 相比公版 Boost 频率提升 122 MHz(约 12.8%)。基础频率也同步提高 56 MHz。
🚀 发烧级超频
显卡长度
230 mm
显存容量
2GB
TDP (热设计功耗)
140 W
显存频率
6008 MHz
核心频率
1006 MHz
Boost 频率
1072 MHz
制程工艺
28 nm
PCIe 版本
-